非易失性存儲器芯片（NV SRAM）
NVSRAM可提供16kb至16Mb的存儲容量，存取時間高達70ns。讀、寫接口均與SRAM保持一致
標準Vcc條件下NVSRAM與同等速度SRAM的操作完全相同
無需擔心存儲數據分區問題，數據存儲位置與標準SRAM相同。
NVSRAM可提供16kb至16Mb的存儲容量，存取時間高達70ns。讀、寫接口均與SRAM保持一致
標準Vcc條件下NVSRAM與同等速度SRAM的操作完全相同
無需擔心存儲數據分區問題，數據存儲位置與標準SRAM相同。
Vilsion Technology Inc.是一家為汽車，通信，數字消費，工業，醫療和物聯網設計，開發和銷售高性能集成電路的領導者。以下是非易失性隨機存取存儲器（NV-RAM），容量為128Kb~16Mb，讀取速度為40MHz,104MHz 25ns, 35ns以及45ns。無限讀寫，具有高可靠性，提供44TSOP,48BGA，8-DFN，16-SOIC封裝，工作電壓為3.3V。我司可根據客戶不同的產品需求推薦性價比高且實用的產品。| 型號 | 容量 | 位寬 | 溫度 | 電壓(V) | 速度 | 封裝 | 包裝 | 狀態 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VTI8P016N08M | 16Mbit | 2M x 8 | C,I | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8P016N16M | 16Mbit | 1M x 16 | C,I | 3.3 | 35ns | 54TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8P004N08M | 4Mbit | 512K x 8 | C,I,A | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8P004N16M | 4Mbit | 256K x 16 | C,I，E,A | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8S004N00M | 4Mbit | 512K x 8 | I,A | 3.3 | 40MHz | 8-DFN | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8P001N16V | 1Mbit | 64Kx16bit | C,I | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray | MP | 聯系我們 |
| VTI8P001N08M | 1Mbit | 128K x 8 | C,I,A | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8P001N16M | 1Mbit | 64K x 16 | C,I，E,A | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8S001N00M | 1Mbit | 128K x 8 | I,A | 3.3 | 40MHz | 8-DFN | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8Q001N00M | 1Mbit | 128K x 8 | C,I | 3.3 | 40MHz/104MHz | 16-SOIC | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8P256N08M | 256Kbit | 32K x 8 | C,I | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8S256N00M | 256Kbit | 32K x 8 | I,A | 3.3 | 40MHz | 8-DFN | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
| VTI8S128N00M | 128Kbit | 16K x 8 | I,A | 3.3 | 40MHz | 8-DFN | Tray,T&R | MP | 聯系我們 |
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